标题:光刻胶结构热氧化微电子学技术-天天彩票凤凰彩票

信息分类:站内新闻   作者:yiyi发布   时间:2017-6-13 22:18:57 将本页加入收藏

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正文:

光刻胶结构热氧化微电子学技术-天天彩票凤凰彩票

用于半导体技术中的光刻胶可以根据曝光的光源进行修正,叫以通
过改变光刻胶的分子结构,进而改变它的化学性能,如溶解度。最
大的敏感性一般位于紫外线区域,并且敏感性随波长的增加而降低
。抗蚀剂可以在黄光下被进行处理,曝光不是随意的,因此加工晶
片涂层的房间,可以用黄色灯光照明(“黄光房间”)。光学光刻包
括下列不同的过程:基体准备(清洗);涂层(喷涂):干燥;曝光;
显影;硅片表面的局部修改;抗蚀剂的去除(剥离)。
    表面改性
    热氧化
    在较高温度和富氧环境下,硅片表面可以形成气体不能穿透并
且耐化学性的SiOz层,这一Si02层为保证硅在微电子学中的重要地
位发挥了较大的作用。SiO:层的应用如下:钝化层;掩模层;绝
缘层;电介质层;促进层的粘接。
    在热氧化过程中,晶片表面的硅原子在氧化性环境中逐层反应
。氧化层不随时间以线性方式增长,而是随时间以指数方式增长。
为与硅原子反应,氧原子必须通过越来越厚的Si02层扩散进去。硅
处理的温度在800—1200℃。在无水蒸气的条件下,称为“干式,
,氧化过程。无水氧化物具有优良的绝缘性能,几乎无缺陷‘但是
这种方法,要获得0.1Pm的氧化层需要约10h。
    如果氧化过程在富有水蒸气的反应室中进行,则称为“湿式”
氧化过程。与“干式,,氧化过程相比,“湿式”氧化层呈多孔
性并且非常容易被水分子穿透进而与新的硅原子反应。“湿式”氧
化法容易获得较厚的氧化物层。“湿式,,氧化物层与“干式”氧
化物层相比,具有较低的密度和低的剥离电压。
    扩散
    在微电子学中,掺杂是产生P-N结最重要的环节。P—N结是在
单晶硅拉制时经掺杂形成的。在半导体技术中,这些P-N结形成了
每一个器件的中心组元。在晶体的拉制时,已经掺杂成N型或P型半
导体,在制造电子元件时,还必须在断面结构必须引入掺杂梯度。










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